氧化镓是新型超宽禁带半导体材料,拥有优异的物理化学特性,在微电子与光电子领域均拥…
氧化镓是新型超宽禁带半导体材料,拥有优异的物理化学特性,在微电子与光电子领域均拥有广阔的应用前景。但因具有高熔点、高温分解以及易开裂等特性,因此,大尺寸氧化镓单晶制备极为困难。据了解,中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺寸、高掺杂、低缺陷等方向,从大尺寸氧化镓热场设计出发,成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构,突破了6英寸氧化镓单晶生长技术,具有良好的结晶性能,可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制,将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展。 关于氧化镓,这段文字未提及:
A. 研究状况B. 应用前景C. 发现过程D. 技术难题先想一想,再看答案与解析 ▸
正确答案:C
【正确率 96%|考点:细节判断题】
A项,根据“据了解,中国电科46所氧化镓团队聚焦多晶面、大尺寸、高掺杂、低缺陷等方向,从大尺寸氧化镓热场设计出发,成功构建了适用于6英寸氧化镓单晶生长的热场结构,突破了6英寸氧化镓单晶生长技术,具有良好的结晶性能,可用于6英寸氧化镓单晶衬底片的研制,将有力支撑我国氧化镓材料实用化进程和相关产业发展”可知,“研究状况”文段有所提及,排除;
B项,根据“在微电子与光电子领域均拥有广阔的应用前景”可知,“应用前景”文段有所提及,排除;
C项,“发现过程”文段并未提及,无中生有,当选;
D项,根据“但因具有高熔点、高温分解以及易开裂等特性,因此,大尺寸氧化镓单晶制备极为困难”可知,“技术难题”文段有所提及,排除。
本题为选非题,故正确答案为C。
【文段出处】《我国首颗六英寸氧化镓单晶成功制备》
考点细节判断题